一种抗辐照的光电探测芯片设计

作者：何林彦; 罗萍; 周枭; 凌荣勋

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17(03): 515-535.

DOI：10.11805/TKYDA201903.0515

• 光电探测芯片
• 抗辐照加固
• 总剂量效应
• 跨阻放大器

光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于0.5μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固。测试结果表明,抗总剂量能力达到200 krad(Si),同时,该芯片数据传输速率可达10 MBd,其输入高电流范围为6～18 mA。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室