科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片结构,包括依次连接的氮化镓衬底层、氮化镓介质层、砷化镓介质层、砷化镓衬底层,氮化镓介质层、砷化镓介质层内均开设介质孔,氮化镓介质层、砷化镓介质层之间连接键合金属触点,氮化镓介质层连接氮化镓器件电极,砷化镓介质层连接砷化镓器件电极,氮化镓衬底层、砷化镓衬底层上均开设背通孔,氮化镓衬底层连接氮化镓衬底背金属,砷化镓衬底层连接砷化镓衬底上表面电极,氮化镓器件电极与砷化镓器件电极通过介质通孔、键合金属触点互联,且通过两个背通孔与氮化镓衬底背金属、砷化镓衬底上表面电极互联。能够实现高密度、高性能、多功能的氮化镓与砷化镓异质集成射频芯片。
- 单位
