高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

作者：胡佳俊; 陈后鹏; 蔡道林; 宋志棠; 周桂华

来源：微电子学, 2012, (01): 34-37.

• 带隙基准源
• 负反馈
• 电源抑制比
• BiCMOS Bandgap reference source
• Negative feedback
• Power supply rejection ratio
• BiCMOS

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所