HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

作者：杨洪东; 于奇; 王向展; 李竞春; 罗谦; 姬洪

来源：材料导报, 2010, (08): 1-4.

• 氮化硅
• 应变测量
• 高分辨X射线衍射
• 应变硅 SiN
• strain measurement
• high resolution X-ray diffraction
• strained-Si

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学