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摘要
通过基于电子学取数的测试系统,在地磁场环境对两种不同聚焦级结构的微通道板型光电倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)进行了各项性能测试,例如单光电子谱、后脉冲、渡越时间涨落、信号上升下降时间、收集效率等。并通过改变光电倍增管与地磁场的相对位置,测得不同角度下MCP-PMT的性能,并且经对比屏蔽磁场条件下与地磁场环境下MCP-PMT的性能,定性分析了地磁场对MCP-PMT的性能影响。
- 单位
通过基于电子学取数的测试系统,在地磁场环境对两种不同聚焦级结构的微通道板型光电倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)进行了各项性能测试,例如单光电子谱、后脉冲、渡越时间涨落、信号上升下降时间、收集效率等。并通过改变光电倍增管与地磁场的相对位置,测得不同角度下MCP-PMT的性能,并且经对比屏蔽磁场条件下与地磁场环境下MCP-PMT的性能,定性分析了地磁场对MCP-PMT的性能影响。
