不同预退火温度对制备Cu2SnS3薄膜材料的影响

作者：杨敏; 王书荣^*; 蒋志; 李志山; 刘思佳; 陆熠磊; 赵其琛

来源：材料科学与工程学报, 2018, 36(05): 769-763.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.015

• 铜锡硫(CTS)薄膜
• 射频磁控溅射
• 预退火处理
• 硫化

采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu2SnS3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜。利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行测试分析。

• 单位
  云南师范大学