本发明公开了一种Cu2ZnSnS4半导体材料的制备方法,利用氯化亚锡、氯化锌、氯化铜的混合溶液和硫化铵溶液作为原料,按照一定配比,先进行溶液共沉淀,再经高压水热处理,分离即得Cu2ZnSnS4半导体材料。通过溶液共沉淀再经高压水热处理来制备Cu2ZnSnS4半导体材料的方法,具有产物化学计量比容易控制可调,制备工艺简单,成本低廉,对环境友好等优点,所得材料可作为吸收层应用于薄膜太阳电池中。
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