基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器

作者：孙姚耀; 韩玺; 吕粤希; 郭春妍; 郝宏玥; 蒋志; 蒋洞微; 王国伟; 徐应强; 牛智川

来源：航空兵器, 2018, (02): 56-59.

DOI：10.19297/j.cnki.41-1228/tj.2018.02.010

• InAs/GaSb超晶格
• 分子束外延
• 中/长波双色
• 红外探测器

InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为第三代红外焦平面探测器的热门材料。本文利用分子束外延技术生长了背靠背势垒型中/长波双色红外探测器材料,通过标准工艺和阳极硫化技术,成功制备双波段NMπP-PπMN型红外探测器。在77K,中波峰值量子效率为32%,长波峰值量子效率为27%,50%截止波长分别为4.7μm和7.9μm。中波信号在+2V偏压下饱和,暗电流密度为0.06A/cm2,长波信号在-1.4V偏压下饱和,暗电流密度为8.7A/cm2。

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所