Sn-Ge改性BCZT无铅压电陶瓷的结构与性能

作者：江平; 张静^*; 褚涛; 李**; 钟敏; 郭亚雄

来源：压电与声光, 2022, 44(04): 513-520.

• 无铅压电陶瓷
• 锆钛酸钙钡(BCZT)
• 微观结构
• 电性能

采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.09Ti0.91-2xSnxGex)O3(x为质量比)无铅压电陶瓷中，研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明，Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构，没有明显的第二相产生，但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加，其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x=0.032时，该体系的居里温度最高(为122℃)。

• 单位
  贵州大学; 贵州振华红云电子有限公司