一种基于π型氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器

作者：朱光州; 张世义; 王俊强; 吴倩楠; 李孟委; 王志斌

来源：微电子学, 2021, 1-7.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200594

• 氮化钽薄膜
• 电阻衰减网络
• 衰减器
• MEMS

针对传统衰减器体积大、反应时间长以及可靠性差等问题，本文提出了一种基于氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器。根据π型衰减网路理论计算得到各个电阻的阻值大小，并计算各个电阻的仿真尺寸，利用HFSS 15.0电磁波仿真软件对衰减器结构进行仿真计算并优化。通过修改磁控溅射参数制备稳定的氮化钽薄膜电阻，在此基础上制备MEMS衰减器。用矢量网络分析仪和探针台进行衰减器射频性能测试。测试结果表明，在0.1～20 GHz频率范围内，衰减器回波损耗均大于12.4 dB，插入损耗均小于2.1 dB，衰减精度均小于5 dB，整体尺寸为2.2×1.2×1 mm3。

• 单位
  中北大学