76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

作者：倪金玉; 孔岑; 周建军; 李忠辉; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2012, (04): 411.

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• 外延片
• 厚度

<正>南京电子器件研究所采用含有双AlGaN过渡层的材料结构在76.2 mm(3英寸)Si衬底上外延生长了厚度超过2μm的AlGaN/GaN HEMT材料(图1),材料表面光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条