一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法

作者：马晓华; 侯斌; 牛雪锐; 杨凌; 张濛; 武玫; 王冲; 郝跃

来源：2022-01-06, 中国, CN202210013554.X.

本发明公开了一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法,包括：由下至上依次设置的第一Si衬底层、P-GaN层、UID-In-xGaN层、Al-yGaN势垒层和保护层；Al-yGaN势垒层、UID-In-xGaN层和P-GaN层形成N面的异质结结构；其中,0.02≤x≤0.05；Al-yGaN势垒层上开设有栅极凹槽；Al-yGaN势垒层的两侧分别沉积有源电极和漏电极；其中,0.2≤y≤0.3；源电极和漏电极均延伸至保护层内；栅极凹槽,槽口朝向保护层；栅极凹槽上设置有栅电极；栅电极延伸至保护层内；源电极、漏电极和栅电极的上方分别沉积有贯穿保护层的互联金属。本发明够使P沟道器件有较高的空穴迁移率,从而改善了器件的性能,以实现高电流密度器件。

• 单位
  西安电子科技大学