用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器

作者：刘德志; 王绍权^*; 王鑫; 马琳

来源：半导体技术, 2019, 44(02): 104-109.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.02.005

• 温度补偿
• 低噪声放大器(LNA)
• SiGe BiCMOS
• 有源相控阵雷达
• X波段

基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高增益为17 dB,全频带内高低温增益变化0.5 dB,噪声系数为1.8 dB@10 GHz;LNA使用1.8 V供电,工作电流为14 mA。芯片核心面积为0.50 mm×0.58 mm。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所; 中国电子科技集团公司第十四研究所