行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响

作者：茅艳琳; 左然^*

来源：人工晶体学报, 2020, 49(07): 1168-1175.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20200623.001

• MOCVD
• AlN
• 行星式反应器
• 气相反应
• 数值模拟

针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时,衬底前端的含Al粒子浓度明显升高,尤其是MMAl的浓度比传统进口反应器高两个数量级,气相反应中热解路径占主导,薄膜生长速率明显提高。在倒置进口的基础上优化隔板位置,生长速率略微降低,但薄膜均匀性明显改善。当反应器进口数量从二重变为三重和五重,反应从热解路径占主导变为热解路径和加合路径共同作用,薄膜生长速率逐渐增加,而均匀性明显改善。

• 单位
  江苏大学