表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法

作者:郑雪峰; 王士辉; 吉鹏; 董帅帅; 王颖哲; 马晓华; 郝跃
来源:2017-09-11, 中国, ZL201710811288.4.

摘要

本发明公开了一种表面态陷阱对器件输出特性影响的测量方法,主要解决目前无法单独测量表面态陷阱对器件输出特性影响的问题;其实现方案是:首先在被测器件的源极和漏极之间再新制作一个栅极,形成双栅结构;再测量器件的输出电流;接着对被测器件施加脉冲电压填充器件表面态陷阱;填充完毕后,停止施加脉冲电压,测量器件的输出电流,最后计算得到器件表面态陷阱对器件输出特性的影响。本发明具有测试电路简单,测试结果可靠的优点,可用于研究器件的电流崩塌效应,进一步提高器件的工艺优化和可靠性分析。