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摘要
本发明公开了一种结型积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法。该器件设置积累介质层,覆盖N型漂移区表面以及N+漏区表面左端区域,在积累介质层上设置碳化硅材料的外延层；在外延层的左侧端部、右侧端部分别通过离子注入形成两处P型区,并在所述外延层中邻接右端P型区通过离子注入形成N+区；在栅极介质层表面形成栅极,栅极与左端P型区邻接；在N+漏区表面的右端区域形成漏极,漏极14与右端P型区邻接。该器件在导通时,可以通过结型积累层在漂移区中产生浓度较高的电子,大幅度降低器件的导通电阻；器件关断时,结型积累层可起到场板的作用,有效地降低栅极边缘的电场峰值,从而提高器件的击穿电压。
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