n-ZnO/p-CuO同轴纳米线异质结的制备及其Ⅰ-Ⅴ特性

作者：彭伟; 李金钗

来源：武汉大学学报(理学版), 2013, (03): 212-216.

DOI：10.14188/j.1671-8836.2013.03.001

• 氧化锌(ZnO)
• 氧化铜(CuO)
• 同轴纳米线
• 异质结
• Ⅰ-Ⅴ特性 ZnO
• CuO
• coaxial nanocable
• heterojunction
• Ⅰ-Ⅴ characteristic

采用热蒸发气相沉积法在Si(100)衬底上生长直径约为60～70nm的氧化锌(ZnO)纳米线,进一步运用离子束溅射技术和热氧化工艺在ZnO纳米线表面形成含有均匀密集分布的超细氧化铜(CuO)纳米颗粒的CuO壳层,构成n-ZnO(核芯)/p-CuO(壳层)同轴纳米线异质结.扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)用于研究样品的形貌、成分和晶体结构.实验结果表明,生长的ZnO纳米线呈纤锌矿单晶结构,CuO壳层为多晶结构.Ⅰ-Ⅴ曲线表明该同轴纳米线异质结构具有优良的二极管整流特性.这种具有大的异质结面积和高的比表面受光面积及强的表面...

• 单位
  武汉大学