一种SiC掺杂Ta-xHf-(1-x)C陶瓷及其制备方法

作者：董志军; 成俊; 李轩科; 袁观明; 丛野; 朱辉; 张江

来源：2019-11-25, 中国, ZL201911166167.4.

本发明涉及一种SiC掺杂Ta-xHf-(1-x)C陶瓷及其制备方法。其技术方案是：先将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合,搅拌,在180～240℃条件下保温,蒸馏,得到Ta-(1-x)Hf-xC陶瓷前驱体,0.01≤x≤0.99。再将所述Ta-(1-x)Hf-xC陶瓷前驱体与硅源混合均匀,得到溶胶。将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中,搅拌,干燥,得到Si-Ta-xHf-(1-x)C陶瓷前驱体。然后将所述Si-Ta-xHf-(1-x)C陶瓷前驱体放入石墨坩埚内并置于炭化炉中,在氩气气氛下升温至1600～1800℃,保温,冷却,得到SiC掺杂Ta-xHf-(1-x)C陶瓷。本发明具有工艺简单、成本低、生产周期短、能耗低和产率高特点,所制备的SiC掺杂Ta-xHf-(1-x)C陶瓷纯度高、均匀性好和高温抗氧化性能优异。

• 单位
  武汉科技大学