本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片，测试结果表明：LDO芯片的过温保护点在（165～170）℃，过温恢复点在（95～100）℃，与设计值基本吻合。
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