高质量GaN/Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究

作者：肖祁陵; 张萌; 王立

来源：功能材料与器件学报, 2006, (06): 524-528.

• GaN
• 高分辨X射线衍射
• 位错密度
• 掠入射

通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/A l2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法。结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合。

• 单位
  南昌大学材料科学与工程学院; 南昌大学; 教育部发光材料与器件工程研究中心