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摘要
通过圆偏振光致电流及反常圆偏振光致电流的光学实验方法，研究磁性掺杂对三维拓扑绝缘体的影响.在圆偏振光激发下，相对于未掺杂三维拓扑绝缘体Bi2Te3,其光电流方向不变，但幅值有所减小.这是由于磁性掺杂使得三维拓扑绝缘体狄拉克能带带隙打开，相同激发条件下，带间激发概率降低，光生自旋极化载流子浓度降低.对其光电导信号的分析则进一步表明，磁性掺杂使得拓扑绝缘体对激发光的吸收大大降低，进而限制了光电流的产生.此外，磁性掺杂三维拓扑绝缘体所产生的反常圆偏振光致电流随着发光位置发生了三次反向，这是由于磁性掺杂三维拓扑绝缘体的上下表面态分别贡献了方向相反的光电流，通过拟合，分离了上下表面态各自的贡献.
