NaF薄膜的结构与应力分析

作者：詹勇军; 王锋; 袁玉全; 谌家军

来源：重庆高教研究, 2007, 26(2): 32-35.

DOI：10.3969/j.issn.1673-8012.2007.02.010

• 脉冲激光沉积(PLD)
• NaF薄膜
• X射线衍射(XRD)
• 择优生长

采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长了NaF薄膜.分别用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析.AFM测试结果表明,低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密,均方根粗糙度(Rms)仅为0.538 nm;XRD分析结果表明,用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在(222) 晶面有明显的择优取向.应力分析薄膜的残余应力为压应力,应力大小随激光能量密度的增加而增加;XPS分析结果表明,热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量.热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧,PLD方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧,说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解.

• 单位
  中国工程物理研究院; 西华师范大学; 四川大学; 四川理工学院