氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响

作者：高芳亮; 管云芳; 李国强

来源：半导体光电, 2013, 34(01): 59-61+65.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2013.01.014

• 氮化铟
• 氮化
• RF-MBE
• 单晶薄膜 InN
• nitridation
• single crystal film

采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。

• 单位
  发光材料与器件国家重点实验室; 华南理工大学; 材料科学与工程学院