In2O3基纳米材料气敏性能研究综述

作者：严超; 杨方源; 杨占金; 匡代洪^*

来源：化学试剂, 2020, 42(02): 137-141.

DOI：10.13822/j.cnki.hxsj.2020007250

• In2O3
• 制备
• 材料修饰
• 异质结
• 气敏传感器
• 综述

In2O3半导体纳米材料由于具有较高的响应灵敏度、较快的响应-恢复时间,是气敏领域的明星材料,得到了广大研究者的青睐。然而,In2O3气敏材料由于化学组份单一往往催化能力有限,气敏性能不太理想(灵敏度较低、相应的恢复时间较长、功耗较高),严重限制了其在日常生产生活中的应用。实验证明:对单一的气敏材料修饰改性可以有效提升材料的气敏性能。国内外广大研究者相继对In2O3进行了大量的研究工作并取得了显著的成果。综述了In2O3气体传感器最新的研究进展,对近几年In2O3半导体纳米材料发展存在的问题及改性方法进行概括,并对以后的发展进行了展望。

• 单位
  数理学院; 新疆农业大学