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摘要
单粒子效应会造成半导体元器件的逻辑错误,严重时可导致器件损毁,对航天器的运行安全造成巨大威胁。因此人们在地面开展单粒子效应辐照实验来对器件进行加固研究。相较于加速器模拟实验装置,单粒子效应的激光模拟试验装置占地少、成本低、效率高,引起了人们广泛的重视。本工作针对激光诱发的单粒子翻转过程开展模拟研究,提出了激光与半导体相互作用的双电子共振吸收模型,并在此基础上推导出吸收系数随温度变化的规律。该模型能够自然得到激光与半导体作用的非线性吸收结果。利用热峰模型计算激光辐照器件后的温度演化行为,模拟了激光入射器件产生的单粒子翻转过程,得到了激光能量与等效LET的对应曲线,发现该曲线不是线性关系。该曲线是由激光在半导体中的非线性吸收导致的。除此之外还模拟了激光入射后产生的自由电荷总量与激光的特性参数——脉冲宽度的依赖性关系。
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