碳化硅（SiC）作为第三代半导体的代表材料，其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等。该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统，设计了软件架构、流程、交互、控制零件等。经反复的工艺运行验证，该系统的最高测量温度达到1 750℃；温控精度≤1℃；压力控制精度≤1 mbar；外延最高生长速率≥60 um/h；厚度均匀性≤2%；掺杂浓度均匀性≤5%；平均修复时间（MTTR）≤8 h，以上指标均达到设计要求。
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