氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

作者：顾广瑞; 吴宝嘉; 李全军; 金哲; 盖同祥; 赵永年

来源：液晶与显示, 2004, (02): 120-123.

• 场发射
• BN薄膜
• 氮气分压 field emission
• BN thin films
• N_2 content

利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性 ,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加 ,阈值电场逐渐升高 ,这是由于表面粗糙度的变化造成的。充入 10 %N2 情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好 ,开启电场为 9V/μm ,当电场升高到 2 4V/μm ,场发射电流为...

• 单位
  延边大学; 吉林大学; 超硬材料国家重点实验室