等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究(英文)

作者：陈永生; 杨仕娥; 卢景霄; 郜小勇; 张宇翔; 王海燕; 李瑞

来源：人工晶体学报, 2005, (04): 753-759.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.04.039

• 微晶硅薄膜
• 晶化率
• 等离子体增强化学气相沉积 microcrystalline silicon film
• crystalline volume fraction
• PECVD

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm。通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感。

• 单位
  郑州大学