一种基于噪声抵消技术的高线性LNA设计

作者：刘廷敏

来源：中国电子科学研究院学报, 2019, 14(07): 734-738.

• 三阶互调失真分量抵消
• 二阶互调失真分量抵消
• 噪声抵消
• 宽带低噪声放大器
• 高线性

本文提出了一种基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器(LNA)。通过互补CMOS并联推拉结构的采用,抵消掉二阶互调失真分量(IMD2)。改进的噪声抵消电路也可以有效地抑制三阶互调失真分量(IMD3)。虽然噪声和失真的最优化抵消点不同,但是噪声系数并没有恶化。基于标准的90 nm CMOS工艺对LNA进行流片实现,该LNA在0. 1～3. 9 GHz频段内,取得了21. 5～24. 3 dBm的二阶输入截止点,2. 6～3. 8 dBm的三阶输入截止点,13. 6 d B的最大功率增益,1. 9～3. 8 dB的噪声系数。该LNA在1. 1 V电压的供电下,消耗了19. 5 m W的功耗,芯片面积仅为0. 0095 mm2。

• 单位
  成都农业科技职业学院