摘要
本实用新型涉及IBC太阳能电池技术领域,特别是涉及一种新型背电极的IBC太阳能电池,包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32),P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)交替布置在N型硅片(10)的背面;所述P+重掺杂区(21)形成在相邻N+重掺杂区(22)之间的凹槽中。该实用新型具有良好的钝化效果,减小了光生载流子的表面复合,N型硅片中少数载流子的漂移距离更小,电池的光电转换效率更高。
- 单位
本实用新型涉及IBC太阳能电池技术领域,特别是涉及一种新型背电极的IBC太阳能电池,包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32),P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)交替布置在N型硅片(10)的背面;所述P+重掺杂区(21)形成在相邻N+重掺杂区(22)之间的凹槽中。该实用新型具有良好的钝化效果,减小了光生载流子的表面复合,N型硅片中少数载流子的漂移距离更小,电池的光电转换效率更高。