在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO2周期图形(英文)

作者：戚永乐; 张瑞英; 仇伯仓; 王逸群; 王庶民

来源：纳米技术与精密工程, 2016, 14(06): 395-401.

DOI：10.13494/j.npe.20160036

• 图形衬底
• 异质外延
• 高深宽比

本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件下,窗口通过过曝光和反相剥离工艺减小到330 nm,该尺寸超越了试验用步进式光刻设备的极限精度尺寸.在通过HF和KOH溶液处理后,得到了带有V型槽和较光滑侧壁的SiO图形的Si衬底,该图形适用于Ⅲ-Ⅴ半导体通过深宽比位错捕获技术的材料生长.这种均匀的晶元级图案制备方案促进了图形化Si衬底技术和Si基Ⅲ-Ⅴ半导体异质外延.

• 单位
  深圳清华大学研究院; 中国科学技术大学; 中国科学院; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所