Eu3+掺杂的MoS2薄膜的光电特性

作者：李志超; 王霖; 吴书妍; 张高宁; 孟淼飞; 马锡英

来源：微纳电子技术, 2017, 54(06): 390-407.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2017.06.005

• MoS2
• Eu3+
• 光电流
• 光吸收
• 光致发光

为了研究Eu3+掺杂MoS2薄膜的光电特性,采用气相运输沉积法在p-Si衬底上沉积MoS2薄膜,并利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪、分光光度计和光致发光光谱仪研究了Eu3+掺杂对MoS2薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收以及MoS2-Si异质结的光电流的影响。研究表明:Eu3+掺杂使MoS2薄膜的结晶更好;同时MoS2薄膜的电子迁移率和电导率增加了一个数量级,并使MoS2-Si异质结具有良好的伏安特性和光电响应。另外,Eu3+掺杂增强了MoS2薄膜的光吸收,并使MoS2薄膜在室温下产生红光。以上结果表明,Eu3+掺杂MoS2薄膜可用于制作高效率的发光与光电子器件。

• 单位
  数理学院; 苏州科技大学