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摘要
本发明公开一种肖特基积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法。该器件的特点在于：设置积累介质层,覆盖N型漂移区表面以及N+漏区表面左端区域,相应分别与欧姆栅极、欧姆漏极相接,积累介质层高于欧姆栅极和欧姆漏极；在积累介质层上形成碳化硅材料的外延层,并在外延层表面的左端和右端分别形成肖特基栅极和肖特基漏极,相应分别与欧姆栅极和欧姆漏极连接；所述外延层中在肖特基漏极下方区域的左侧通过离子注入形成N+区,N+区的左端不超出N+漏区左端对应的边界。本发明可以在漂移区中产生浓度较高的电子,大幅度降低器件的导通电阻；器件关断时,通过场板的作用能够有效降低栅极边缘的电场峰值,从而提高器件的击穿电压。
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