退火温度对ZnO纳米棒紫外探测性能的影响

作者：王浚宇; 张舒婷; 郑国庆; 李敏^*

来源：微纳电子技术, 2020, 57(10): 818-822.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.10.009

• ZnO纳米棒
• 退火温度
• 紫外探测性能
• 微观形貌
• 微结构

通过水热法在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备出不同退火温度的ZnO纳米棒,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱响应曲线和I-V特性曲线对不同退火温度的ZnO纳米棒的表面形貌、微观结构以及紫外探测性能进行深入研究。结果表明,当退火温度从300℃逐渐升高至350℃时,ZnO纳米棒变得致密和均匀,表现为六方纤锌矿结构,同时纳米棒结晶性能优异且缺陷少;当退火温度高于350℃时,ZnO纳米棒变得稀疏、缺陷较多、结晶质量降低。通过光谱响应曲线和I-V特性曲线得出当退火温度为350℃时,响应度具有最大值为4.651 A/W,光电流为1.508μA。

• 单位
  河北大学; 电子信息工程学院; 华东光电集成器件研究所