北大在二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料方面取得重要进展

来源：化工新型材料, 2018, 46(11): 283-284.

<正>在过去两年多里,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组和合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。最近,他们与合作者发现由Bi2O2Se制备成的原型光电