不同基底上生长极薄MoS2的光电性能研究

作者：郑奇烨; 彭英姿^*; 吴小虎

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2019, 39(02): 77-81.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2019.02.014

• MoS2
• 不同基底
• 异质结
• I-V特性
• 偏振光

采用化学气相沉积法在不同基底表面生长极薄MoS2薄膜并探究其光电性能。研究了暗场下不同基底对应的I-V特性曲线、极薄MoS2的光响应特性以及对于偏振光的反应特性。从I-V特性曲线可知:极薄MoS2与高掺Si基底形成了明显的异质结结构,在正负偏压下均呈现指数增长特性。此外,MoS2薄膜对于633 nm激光有明显的光响应,在不同偏振态的偏振光作用下,其电阻与静态电流呈现周期性变化,其变化周期约为π。

• 单位
  杭州电子科技大学