4H-SiC外延层中BPD向TED转化的深度及分布特征

作者：王逸民; 宋华平^*; 胡正发^*; 张伟; 杨军伟; 孙帅

来源：材料研究与应用, 2023, 17(02): 342-345.

DOI：10.20038/j.cnki.mra.2023.000219

• SiC
• 基晶面位错
• 贯穿型刃位错
• KOH腐蚀
• 化学机械抛光

采用熔融KOH腐蚀法和化学机械抛光技术对低掺杂4H-SiC外延层进行处理，通过共聚焦激光显微镜和偏光显微镜对基晶面位错（BPD）转化为贯穿型刃位错（TED）的过程进行光学表征，对比BPD与TED的腐蚀坑坑壁斜率变化找到转化点，测量了15个BPD-TED转化点的转化深度，发现93%的转化发生在1μm以内的缓冲层中，仅7%发生在1μm以上的漂移层中，并且平均转化深度为0.59μm，表明BPD-TED的转化主要发生在衬底/外延层的交界处，在外延生长初期就已完成转化。BPD-TED的转化研究，对于理解和优化SiC晶体外延生长具有重要意义。

• 单位
  松山湖材料实验室; 汕头广工大协同创新研究院; 广东工业大学