一种片外电容交叉充放电型振荡电路设计

作者：曹杨^*; 曹振吉; 曹靓; 赵桂林

来源：电子技术应用, 2023, 49(03): 77-81.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.223029

• 环形振荡
• 电容充放电
• 电源控制芯片
• 时钟

CMOS环形振荡器具有版图面积小、调谐范围大、电路简单便于集成等优点，广泛应用于各类电源系统及电子通信应用中。在常规的环形振荡电路基础上，设计了独立的充放电控制通路，实现了一种交叉充放电型环形振荡电路，并通过外接片外电容的方式，得到更低频率的振荡周期。基于0.18μm工艺，采用HSIM工具对电路进行功能仿真，经过后端物理实现后，版图面积为172μm×76μm，对电路进行提参后仿，结果表明：在3.3 V电压及25℃条件下，外接10 nF接地电容时，电路获得约1.2 ms的稳定振荡周期。在Vcc=2.7 V～5.5 V、T=-55℃～125℃条件下，时钟周期的最大偏移为5.83%。该电路已成功应用于某电源控制芯片中。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所