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摘要
SiC作为代表性的第三代半导体材料，具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展，SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言，SiC衬底质量还有很大的改善空间，是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷，特别是一维位错缺陷的检测和降低，是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳，并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。
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