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摘要
基于分子束外延（MBE）生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外（MWIR）光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80%,与碲镉汞的量子效率相当。在77K,-50 m V偏压下的暗电流密度为1.8×10-6A/cm2,最大电阻面积乘积（RA）(-50 m V偏压)为3.8×10～5Ω·cm2,峰值探测率达到了6.1×1012cm Hz1/2/W。
- 单位
