摘要
使用射频磁控溅射技术,以原子百分比为4∶1和1∶4的SnO2和CdO制备了SnO2-CdO复合薄膜.XRD分析表明,SnO2-CdO (4∶1)复合薄膜为SnO2(310)和Cd2SnO4(011)的混合相多晶结构,且结晶性能良好.随着氧流量的增加,薄膜的择优生长方向由SnO2(310)转变为Cd2SnO4(011).薄膜在可见光和近红外光范围内的最高透过率达到95%和91%,最高平均透过率达到87%和85%,光学带隙在3.80~3.90 eV范围内变化.电阻率随着薄氧流量的增加而下降,最低为0.133Ω·cm.薄膜的厚度约为330 nm,其表面由大量分布均匀的球形颗粒组成.原子百分比为4∶1的SnO2-CdO复合薄膜的光电性能优于原子百分比为1∶4的SnO2-CdO复合薄膜.
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