本发明涉及一种高深宽比TSV硅通孔的制备方法,包括如下步骤：步骤1、在硅晶片上进行刻孔；步骤2、减薄硅晶片；步骤3、分别从通孔的正反两面进行沉积；步骤4、分别从通孔的正反两面进行金属填充。该高深宽比TSV硅通孔的制备方法,与现有技术将比,在硅晶片上制备通孔后,直接进行减薄处理,然后,从正反两面进行后续的工艺处理,在保证TSV通孔填充的金属均匀的前提下,不仅效率更高,而且能够提高TSV通孔的深宽比,提高线路集成密度,具有更好的填充质量,有利于提高电子器件的集成密度。
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