磁控反应溅射直接生长绒面H化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其特性研究

作者：王斐; 陈新亮; 耿新华; 黄茜; 张德坤; 孙建; 魏长春; 张晓丹; 赵颖

来源：光电子-激光, 2012, (04): 724-729.

DOI：10.16136/j.joel.2012.04.009

• H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜
• 磁控溅射
• 绒面结构
• 梯度H2技术
• 薄膜太阳能电池 hydrogenated Ga-doped ZnO(HGZO) thin films
• magnetron sputtering
• textured surface
• gradient H2 growth
• thin film solar cells

采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长出了具有绒面结构的H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜。研究了H2流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。实验表明,在溅射过程中引入H2明显改善HGZO薄膜电学性能,并且能够直接获得具有绒面结构的薄膜。在H2流量为2.0sccm时,所制备的HGZO薄膜具有特征尺寸约200nm的类金字塔状表面形貌,同时薄膜方阻为4.8Ω,电阻率达到8.77×10-4Ω.cm。H2的引入可以明显改善薄膜短波区域的光学透过,生长获得的HGZO薄膜可见光区域平均透过率优于85%,近红外区域波长到1 100nm时仍可达80%。为了进一步提高薄膜光散射能力和光学透过率,根据不同H...

• 单位
  南开大学