InP基RTD特性的数值模拟研究

作者：王伟; 孙浩; 孙晓玮; 徐安怀; 齐鸣

来源：固体电子学研究与进展, 2010, (03): 317-322+332.

• 磷化铟基共振隧穿二极管
• 电流-电压特性
• 非平衡格林函数法
• 散射 InP-base RTD
• I-V characteristics
• NEGF
• scattering

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院研究生院