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摘要
针对光学倒锥窄尖的制备工艺困难的问题,通过特殊设计掩膜版,利用步进式光刻机,经过一次步进,对光刻胶进行两次连续的图案化处理,突破紫外光刻机的分辨率极限,制备出尖端接近50nm的倒锥结构图案。再对光刻胶进行回流处理,解决其分层的问题,保证了结构侧壁的光滑度及尖端的完整性。在深硅刻蚀工艺中,通过对刻蚀中各气体组分进行调整,改善了锥形结构表面形貌,使结构的均匀性和完整性得到提升。最终得到了适用于层间耦合的尖端接近50nm的光学倒锥。
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单位高功率半导体激光国家重点实验室; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 长春理工大学
