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摘要
为了避免逆变器在运行过程中出现桥臂直通问题，器件的驱动时序中需要插入必要的死区时间。然而，死区会带来逆变器基波电压损失与畸变等问题。尤其当采用SiC MOSFET作为开关器件时，较高的开关频率使得波形畸变更严重，这使得传统应用于Si IGBT逆变器的死区补偿策略已经无法适用。为此，在传统死区消除策略的基础上，提出一种分段调制死区补偿策略。该策略通过建立的预测模型得到过零点处的电流纹波值，并以此划分电流过零区域和非过零区域。当输出电流处于非过零区域时，每相桥臂仅对有效器件进行开关动作，互补器件处于关断状态，以提高基波电压幅值；当处于过零区域时，针对死区时间、寄生电容等因素产生的误差，计算出等效脉冲补偿时间用于补偿误差电压，减少波形畸变。最后，仿真与实验结果证明了该补偿策略相较于传统的死区消除策略可减少低次谐波含量，改善输出波形质量，输出电压的THD可减少1.63%。
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