高性能氮化物半导体MOS-HEMT器件研究

作者：杨凌

来源：其他, 2011.

• 凹栅型
• MOS-HEMT
• 器件
• 原子层淀积
• Al_2O_3
• 栅介质
• 功率特性
• AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)异质结
• AlGaN/AlN/GaN
• 异质结 Recessed gate
• MOS-HEMT device
• ALD
• Al_2O_3
• gate dielectric Power-characteristic
• AlGaN/AlN/GaN-hetero-junction
• AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)
• hetero-junction

论文首先对GaN基MOS-HEMT器件的制作工艺方法进行了研究和优化,在器件表面钝化工艺中,提出了采用先低后高的起辉功率,提高了Si3N4钝化层的薄膜质量;通过调整He和N2的比例,有效地改善了Si3N4钝化层对材料表面所产生的应力和表面粗糙度,明显提高了Si3N4薄膜的击穿电压。通过对Si3N4介质材料进行大量的统计和实验分析,显著提高了生长的均匀性和材料参数的稳定性,使得Si3N4生长厚度偏差小于3%,折射率偏差小于2%,片内均匀性在2%以内。通过优化原子层淀积Al2O3的工艺参数,得到了MOS-HEMT器件所需要的高质量的栅介质;研究并确定了牺牲层的总厚度( >2.5μm)以及牺牲层中P...

• 单位
  西安电子科技大学