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摘要
研究了烧结温度对WO3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响。随着烧结温度从1050℃到1200℃的升高,WO3陶瓷的晶粒尺寸增大,压敏电压随之降低。在1150℃烧结条件下,掺杂0.8mol%Y2O3的WO3压敏陶瓷样品表现出优良的综合电性能,其非线性系数为3.5,相对介电常数为1.13×104。然而,过高的烧结温度,不利于样品的非线性电学性能。WO3系电容-压敏复合陶瓷较适合的烧结温度为1150℃,这是因为,在此温度下最有利于样品的晶界势垒结构的形成。
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单位材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学
