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摘要
本发明公开一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层,同时在漂移区下方、靠近辅助耗尽衬底埋层的衬底区域设置一个具有电荷补偿的衬底埋层。设置的辅助耗尽衬底埋层可以扩展横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区,同时该埋层还能够利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场进行调制。设置的电荷补偿衬底埋层,消除了超结存在的衬底辅助耗尽的问题,在横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管的表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰,使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化,从而大幅度提高器件的击穿电压。
- 单位
