离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)

作者：何波; 徐静; 马忠权; 史衍丽; 赵磊; 李凤; 孟夏杰; 沈玲

来源：红外, 2009, (02): 33-40.

• HgCdTe
• 环孔pn结
• Ⅰ-Ⅴ特性
• 动态电阻
• 表面漏电流 HgCdTe
• ion beam milling
• loophole pn junction
• Ⅰ-Ⅴcharacteristic
• dynamic resistance
• surface leakage current

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。

• 单位
  上海大学; 材料复合新技术国家重点实验室; 昆明物理研究所; 武汉理工大学